フライバック電源等のFETドライブ回路のスピードアップ用ダイオードの選定について

スピードアップダイオードはスイッチング周波数に合わせて 選定する必要があります。 ・ 一番重視するのは、やはりTrrでスイッチング周波数の 　周期より十分に短い値にする必要があります。 ・ 接合容量も低い方が良いです。 ・ 耐電圧はFETのゲートドライブの電圧が低いため 　大抵のダイオードは余裕があると思います。 ・ 電流は"R2"で制限されますので、その電流に 　余裕を持たせれば良いです。 ダイオードの種類としましては通常はFRDを使用しますが、 周波数が高い場合はショットキーも選択肢かと思います。 私個人としてはショットキーダイオードは、妙に不良率が 高い(寿命が短い)イメージがあり好きではありません。 (製品出荷後、ショットキーダイオードが起因の故障返品が 稀にありました。) 信号系のSWダイオードは耐久性が無いので使用厳禁です。 スピードアップダイオードは効率を上げますが、 ノイズも上がります。 ノイズが問題になる場合は効率を犠牲にして 付けないと言う選択肢もあるとは思います。 (放熱設計はしっかりとして下さい。) 私はスイッチング周波数を100kHz以下で設計しますので ダイオードの選定にそんなに気にはしていないのですが 1MHz以上ですとかなり気を遣う必要があると思います。 もし、ICを御使用の場合はICの標準回路の部品の品番を 参考になさるのが確実です。 抽象的な説明で申し訳ありませんが、 ご参考になれば幸いです。

ありきたりな回答になってしまいますが、温度特性も気にされた方が良いかと思います。ものによってはかなり特性が変わります。 また、電流についても発熱量と周囲温度によって定格からディレーティングが必要になりますので、そこも考慮が必要かと思います。